[发明专利]头部表面高阶Laplacian测量方法无效

专利信息
申请号: 200610021410.X 申请日: 2006-07-18
公开(公告)号: CN1919138A 公开(公告)日: 2007-02-28
发明(设计)人: 尧德中;赖永秀 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: A61B5/0476 分类号: A61B5/0476;G06F19/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610054四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 头部表面高阶Laplacian测量方法,涉及生物信息技术领域,特别涉及脑电的皮层高分辨成像技术,主要应用于人脑功能及与人脑相关疾病的研究与诊断。本发明包括以下步骤:1.确定球模型的半径r、各层同心环电极与z轴的夹角Δθ,2Δθ;2.通过各层同心环电极记录局部头表电位UΔθ,U2Δθ;3.计算各层同心环上的平均电位;4.计算球面高阶Laplacian。本发明的有益效果是:利用球模型计算局部头表电位的二阶导数,更符合大脑的真实形状;利用同心环记录局部头表电位,通过环上的平均电位可得到更稳健的计算结果。
搜索关键词: 头部 表面 laplacian 测量方法
【主权项】:
1、头部表面高阶Laplacian测量方法,包括以下步骤:a、根据头部表面形状,构造一个球模型;在点U0周围安放两层同心环电极,各环电极的总面积与顶点电极的面积相同;b、确定球模型的半径r及各层同心环电极与z轴的夹角Δθ,2Δθ;c、通过各层同心环电极记录局部头表电位UΔθ,U2Δθ;d、计算各层同心环上的平均电位 1 2 π 0 2 π U Δθ , 1 2 π 0 2 π U 2 Δθ ; e、由下式计算球面高阶Laplacian: 2 16 ( 1 2 π 0 2 π U Δθ - U 0 ) - ( 1 2 π 0 2 π U 2 Δθ - U 0 ) 2 r 2 ( Δθ ) 2 + O ( Δθ 4 ) 其中,误差O(Δθ)为: ( Δθ ) 4 r 2 [ 1 90 6 U θ 8 + ( Δθ ) 2 1008 8 θ 8 + · · · - 1 6 3 U ( ln cos θ ) 3 - 5 ( Δθ ) 2 48 4 U ( ln cos θ ) 4 - · · · ] .
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