[发明专利]头部表面高阶Laplacian测量方法无效
| 申请号: | 200610021410.X | 申请日: | 2006-07-18 |
| 公开(公告)号: | CN1919138A | 公开(公告)日: | 2007-02-28 |
| 发明(设计)人: | 尧德中;赖永秀 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | A61B5/0476 | 分类号: | A61B5/0476;G06F19/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 610054四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | 头部表面高阶Laplacian测量方法,涉及生物信息技术领域,特别涉及脑电的皮层高分辨成像技术,主要应用于人脑功能及与人脑相关疾病的研究与诊断。本发明包括以下步骤:1.确定球模型的半径r、各层同心环电极与z轴的夹角Δθ,2Δθ;2.通过各层同心环电极记录局部头表电位UΔθ,U2Δθ;3.计算各层同心环上的平均电位;4.计算球面高阶Laplacian。本发明的有益效果是:利用球模型计算局部头表电位的二阶导数,更符合大脑的真实形状;利用同心环记录局部头表电位,通过环上的平均电位可得到更稳健的计算结果。 | ||
| 搜索关键词: | 头部 表面 laplacian 测量方法 | ||
【主权项】:
1、头部表面高阶Laplacian测量方法,包括以下步骤:a、根据头部表面形状,构造一个球模型;在点U0周围安放两层同心环电极,各环电极的总面积与顶点电极的面积相同;b、确定球模型的半径r及各层同心环电极与z轴的夹角Δθ,2Δθ;c、通过各层同心环电极记录局部头表电位UΔθ,U2Δθ;d、计算各层同心环上的平均电位 e、由下式计算球面高阶Laplacian: 其中,误差O(Δθ)为:
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