[发明专利]负温度补偿电流产生电路及温度补偿电流基准源

摘要

负温度补偿电流产生电路及温度补偿电流基准源，属于电源技术领域，具体涉及一种温度补偿电流产生电路及温度补偿电流基准源。所述负温度补偿电流产生电路由一个MOS管、一个PNP三极管和一个电阻构成，根据输入电流的一阶温度系数，通过调整PNP三极管和电阻的参数，能够输出一种三阶温度系数为零，一阶和二阶温度系数为负的补偿电流。所述温度补偿电流基准源包括：启动电路、一阶正温度补偿电流产生电路、二阶正温度补偿电流产生电路、三阶负温度补偿电流产生电路、比例求和电路以及输出电路。其实质是将单元电路所产生的一阶正温度系数补偿电流、二阶正温度系数补偿电流和三阶温度系数为零的负温度系数补偿电流通过比例叠加，以实现非常低的温度系数(可达0.7ppm/℃)。

主权项

1、一种负温度补偿电流产生电路，由一个NMOS管(M20)、一个电阻(R4)和一个PNP三极管(Q3)组成，其特征在于，所述NMOS管(M20)的栅极通过电阻(R4)连接到PNP三极管(Q3)的发射极，其源极与PNP三极管(Q3)的基极和集电极共同接地；输入电流I(T)(I(T)＝CT，其中C为任意常数)从NMOS管(M20)的栅极和电阻(R4)的连接点输入，输出电流IVBE(Tm)从NMOS管(M20)的漏极输出；所述电阻(R4)和所述PNP三极管(Q3)满足关系式：$\frac{V_{g0}-V_{\mathrm{BE}}}{T_0}-\frac{k(\eta -1)}{q}\ln T=C{R}_4,$ 式中，Vg0为PNP三极管(Q3)的BE结带隙基准电压，VBE(T0)为T＝T0时PNP三极管(Q3)的BE结电压，R4为电阻(R4)的阻值，C为与I(T)＝CT式中相同的常数。