[发明专利]一种基于硅纳米线的异质pn结二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 200610019782.9 | 申请日： | 2006-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1889275A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 方国家;李春;程彦钊;何俊 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 武汉华旭知识产权事务所 | 代理人： | 刘荣 |
| 地址： | 43007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于硅纳米线的异质pn结二极管及其制备方法，该二极管的特殊之处是其pn结是在以垂直定向生长的p－型硅纳米线阵列中沉积n型宽带隙氧化物而成的p－硅纳米线/n－宽带隙氧化物异质pn结。该二极管的制备方法为：先用无电极金属电化学沉积法在p型硅片上电化学刻蚀形成p型硅纳米线，再以形成的垂直排列的p型硅纳米线阵列为模板沉积n型宽带隙氧化物，最后在p型硅背面和n型氧化锌表面分别溅射金属电极，通过后退火合金化形成欧姆接触电极。此方法所制备的p－Si/n－宽带隙氧化物异质pn结二极管充分利用了纳米结构所具有的大的比表面积，增加了载流子复合几率，具有较低的正向开启电压和大的正向电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 pn 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于硅纳米线的异质pn结二极管，至少包括pn结和金属电极，其特征在于：pn结是在以垂直定向生长的p-型硅纳米线阵列中沉积n型宽带隙氧化物而成的p-硅纳米线/n-宽带隙氧化物异质pn结。
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