[发明专利]快速加热分解有机硅氧烷制备氧化硅纳米线的方法无效
| 申请号： | 200610014781.5 | 申请日： | 2006-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1904149A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 李亚利;范华 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C30B29/18 | 分类号： | C30B29/18;C30B29/62;C01B33/113 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 3000*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快速加热分解有机硅氧烷制备氧化硅纳米线的方法，属于氧化硅纳米线制备技术。该方法包括以下具体过程：以电能、激光或等离子体为热源，加热形成至500～2000℃的环境，在该环境中，真空条件下，及在氩气，氮气，氦气或氢气的单气流或它们的混合气流条件下，将聚二甲基硅氧烷以升温速率100～2000℃/S置于环境中，然后迅速生成直径为1～10000nm长1～500μm的氧化硅纳米线。本发明的优点在于聚合物气化和纳米线生长在几秒钟内完成，氧化硅纳米线生长效率高。此外，所生成的纳米线絮状物易于通过拉伸获得纳米线沿轴向排列的宏观纤维和薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 加热 分解 有机硅 制备 氧化 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种快速加热分解有机硅氧烷制备氧化硅纳米线的方法，其特征在于包括以下具体过程：以电能、激光或等离子体为热源，加热形成至500～2000℃的环境，在该环境中，真空条件下，及在气流量为200～400ml/min的氩气，氮气，氦气或氢气的单气流或它们的混合气流条件下，将分子量为500～70000g/mol的聚二甲基硅氧烷以升温速率100～2000℃/S置于环境中，然后迅速生成直径为1～10000nm长1～500μm的氧化硅纳米线。
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