[发明专利]控制和消除硅气相外延层雾状微缺陷的方法无效
| 申请号： | 200610014041.1 | 申请日： | 2006-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1870217A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;张建新;黄妍妍 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/30;C23C14/00;C23C16/00;C30B25/02;C30B23/02;C30B29/06;C30B33/12 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人： | 闫俊芬;肖莉丽 |
| 地址： | 30013*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种控制和消除硅气相外延层雾状微缺陷的方法，旨在提供一种有效消除雾状微缺陷，而且不增加成本以及工艺和设备的复杂性的控制硅气相外延层雾状微缺陷的方法。包括下述步骤：采用常规的化学机械抛光方法对硅衬底片进行双面抛光处理和清洗，在清洗最后的纯水清洗后，向清洗槽内加入氧化剂处理1～15min，使整个硅片表面生成一层洁净的SiO2氧化层，氧化层的厚度一般为3～5nm，再将其放入外延炉中进行外延生长。生长中可控制外延层的厚度大于预定厚度，再用气相抛光去除预留厚度。该方法工艺简单，工作效率高，不需添加额外设备，与常规外延工艺完全兼容，而且消除雾状微缺陷的效果十分显著。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 消除 硅气相 外延 雾状 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1、一种控制和消除硅气相外延层雾状微缺陷的方法，其特征在于包括下述步骤：(1)采用常规的化学机械抛光方法对硅衬底片进行双面抛光处理，之后进行常规的抛光后的清洗；(2)在清洗过程最后的纯水清洗后，向清洗槽内加入氧化剂处理1～15min，使整个硅片表面生成一层洁净的SiO2氧化层，氧化层的厚度一般为3～5nm；(3)将该长有洁净氧化层的硅片放入外延炉中进行常规的外延生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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