[发明专利]半导体锑化铟化学机械抛光液无效
| 申请号： | 200610014029.0 | 申请日： | 2006-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1858136A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;刘承霖 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | C09G1/14 | 分类号： | C09G1/14 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人： | 闫俊芬;肖莉丽 |
| 地址： | 30013*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体锑化铟化学机械抛光液，旨在提供一种以有机碱替代无机碱，通过添加螯合剂、活性剂降低产品表面粗糙度，减少划伤，提高平整度的锑化铟化学机械抛光液。按体积百分比由下述组分组成：SiO2浓度为30－50％的硅溶胶50－98％，胺碱0.1－1.5％，螯合剂0.1－0.5％，表面活性剂0.5－2％，氧化剂0.5－2％，余量的去离子水。本发明将有效的解决锑化铟表面的划伤问题，提高产品的成品率；有效降低InSb的表面粗糙度。后清洗简单，可以降低后清洗中的费用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 锑化铟 化学 机械抛光 | ||
【主权项】：
1、一种半导体锑化铟化学机械抛光液，其特征在于按体积百分比由下述组分组成：sio2浓度为30-50％的硅溶胶50-98％，胺碱0.1-1.5％，螯合剂0.1-0.5％，表面活性剂0.5-2％，氧化剂0.5-2％，余量的去离子水。
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