[发明专利]ZnIn2S4纳米材料及其合成方法和应用无效
| 申请号: | 200610013827.1 | 申请日: | 2006-05-23 |
| 公开(公告)号: | CN1884090A | 公开(公告)日: | 2006-12-27 |
| 发明(设计)人: | 陈军;苟兴龙;高峰;陶占良 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
| 主分类号: | C01G1/12 | 分类号: | C01G1/12;C01G9/00;C01G15/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 300071天津市卫津路94号*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | 本发明涉及ZnIn2S4纳米材料及其合成方法和应用。以二价锌盐、三价铟盐和有机硫化物为原料,表面活性剂为添加剂,在密闭反应器中,于100~220℃下进行溶剂热/水热反应,通过控制溶剂种类、反应温度和反应时间,可选择合成ZnIn2S4纳米管、纳米带和纳米线。该法的原料廉价易得、工艺简单、成本低廉、易于控制,产品质量稳定,且工艺重复性好。由该法制得的ZnIn2S4一维纳米材料属于层状六方晶相,具有各向异性等特殊性质,强烈吸收紫外光和可见光,可望用于太阳能电池、光催化、高能电池、热电转换等相关领域。 | ||
| 搜索关键词: | znin sub 纳米 材料 及其 合成 方法 应用 | ||
【主权项】:
1、一种ZnIn2S4纳米材料,其特征在于它是六方晶相晶体结构的ZnIn2S4,为ZnIn2S4一维纳米管、ZnIn2S4一维纳米带或ZnIn2S4一维纳米线;所述的纳米管内径为17~25nm,外经为40~60nm,长度为500nm~600μm;所述的纳米带宽度为40~100nm,厚度约10nm,长度500nm~2mm;所述的纳米线直径为15~30nm,长度500nm~5mm。
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