[发明专利]一种NROM闪存控制栅及闪存单元的制备方法有效
| 申请号： | 200610012188.7 | 申请日： | 2006-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1870298A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 单晓楠;黄如;蔡一茂;李炎;周发龙 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/43;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种NROM闪存存储单元，属于非挥发性半导体存储器技术领域。该存储单元是由控制栅、源漏区、隧穿氧化层、存储数据的氮化硅层以及阻止氧化层组成，在控制栅的不同区域注入不同类型杂质，靠近源端和漏端的控制栅注入N型杂质，形成N+多晶硅控制栅，中间的控制栅注入P型杂质，形成P+多晶硅控制栅。多晶硅控制栅中间P+区，功函数较高，所对应的阈值电压比较高，相对普通N+注入多晶硅闪存器件来说，这段区域加在栅叠层结构以及沟道的纵向电场比较低，提高了电子在这段沟道内的横向运动速度；多晶硅控制栅两端N+区域，功函数较低，对应阈值电压也比较低，和常规N+多晶硅栅相比较，加在这部分的纵向电场并没有降低，有利于电子的收集。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nrom 闪存 控制 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种NROM闪存单元控制栅的实现方法，其特征在于：控制栅由不同材料组成，控制栅的两端材料的功函数低于控制栅的中间部分材料的功函数。
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