[发明专利]高活性铁/锡离子共掺杂纳米二氧化钛光触媒的制备方法无效
| 申请号: | 200610011239.4 | 申请日: | 2006-01-19 |
| 公开(公告)号: | CN1799693A | 公开(公告)日: | 2006-07-12 |
| 发明(设计)人: | 徐利华;邸云萍;王缓 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
| 主分类号: | B01J37/02 | 分类号: | B01J37/02;B01J21/06 |
| 代理公司: | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人: | 刘月娥 |
| 地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明提供了一种高活性铁/锡离子共掺杂纳米二氧化钛光触媒的制备方法,属于光触媒材料技术领域。工艺步骤为:先制备Fe3+/Sn4+共掺杂的TiO2溶胶,再制备Fe3+/Sn4+共掺杂的TiO2薄膜。优点在于:制备的Fe3+/Sn4+双掺杂的纳米TiO2薄膜具有锐钛矿和金红石相的混晶结构,平均晶粒尺寸为20nm,经分析确定金红石相是Fe3+、Sn4+固溶到TiO2晶格中形成的固溶体晶相;在玻璃基体上镀制的薄膜透明,表面平整光滑;掺杂Fe3+、Sn4+使得TiO2光触媒薄膜对入射光的吸收带边红移至可见光区,产生可见光诱导光催化效应;显著提高了TiO2薄膜的光催化活性,相较纯纳米TiO2薄膜,对甲基橙的光催化降解率提高了2倍。 | ||
| 搜索关键词: | 活性 离子 掺杂 纳米 氧化 触媒 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高光催化活性Fe3+/Sn4+离子共掺杂的纳米TiO2光触媒薄膜的制备方法,其特征在于:工艺步骤为:a.Fe3+/Sn4+共掺杂的TiO2溶胶的制备将体积百分比为15%~20%钛酸四丁酯、22%~24%无水乙醇和10%~12%乙酰丙酮配制成均匀溶液A,根据摩尔百分比MSn∶MTi=11.41%和MFe∶MTi=0.05%~5.00%分别计算称量五水四氯化锡和九水硝酸铁,将所需量的SnCl4·5H2O和Fe(NO3)3·9H2O溶解于43%~49%无水乙醇和2%~3%蒸馏水配制的溶液B中,滴加浓硝酸调节溶液B的pH为3.15~4.20,再将溶液B缓慢滴加到溶液A中进行水解反应,控制反应温度为30~40℃。将形成的Fe3+/Sn4+离子双掺杂的TiO2溶胶在10~35℃密封陈化4~10天;b.Fe3+/Sn4+共掺杂的TiO2薄膜的制备在镀膜前预处理玻璃基体:玻璃基体在箱式电阻炉中500~550℃下热处理120~130min后用酸洗液浸泡,然后用蒸馏水和无水乙醇超声清洗,最后放入烘箱中烘干备用;将洁净的玻璃基体以2~4cm/min的速度浸入到制备的溶胶液中静置2~5min,待液面稳定后以同样的提拉速度垂直向上提拉,湿膜在室温下放置5~15min,再在真空干燥箱中60~100℃下干燥10~20min而成为凝胶膜,取出在10~35℃冷却5~10min后继续镀制下一层膜;重复上述镀膜过程循环制备1~10层薄膜,镀完最后一层膜后,放入60~80℃的真空干燥箱中干燥;然后在箱式电阻炉中以1~2℃/min的速率升温到500~550℃保温热处理120~180min,在炉内自然冷却至室温,得到不同掺杂量的Fe3+/Sn4+离子共掺杂的TiO2光触媒薄膜。
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