[发明专利]GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长方法无效
| 申请号： | 200610010308.X | 申请日： | 2006-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1888127A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 李美成;熊敏;王洪磊 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/54 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 荣玲 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长方法，涉及一种用在霍尔器件、磁阻传感器与光电探测器领域中的InSb薄膜的外延制备工艺。为了减小GaAs与InSb较大的晶格失配，本发明先采用衬底温度600℃，Ga束流为6×10－7mbar，As束流为1.2×10－5mbar，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；衬底温度320℃，In束流为6×10－8mbar，Sb束流为2.4×10－7mbar，生长低温InSb缓冲层；衬底温度410℃，In束流为4.5×10－7mbar，Sb束流为2.7×10－6mbar，生长InSb外延层。采用本发明的方法制备出的结晶完整、表面光滑的外延InSb薄膜的室温电子迁移率可达4.35×104cm2V－1s－1，室温载流子浓度可达3.42×1016cm－3。 | ||
| 搜索关键词： | gaas insb 薄膜 分子 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长方法，其特征在于所述方法为：a、除气、脱氧化膜：GaAs衬底首先在400℃下加热除气1小时，然后衬底升温到580℃脱氧化膜；b、生长GaAs缓冲层：GaAs缓冲层生长时，控制温度为600℃，Ga束流为6×10-7mbar，As束流为1.2×10-5mbar，生长时间为20分钟；c、生长低温InSb缓冲层：低温InSb缓冲层生长时，控制温度为320℃～330℃，In束流为6×10-8mbar，Sb束流为2.4×10-7mbar，生长时间为8～10分钟；d、生长InSb外延层：InSb外延层生长时，控制温度为410℃，In束流为4.5×10-7mbar，Sb束流为2.7×10-6mbar，生长时间为2小时。
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