[发明专利]非易失存储器补偿读取源极线的装置有效
申请号: | 200610009383.4 | 申请日: | 2006-02-28 |
公开(公告)号: | CN1877742A | 公开(公告)日: | 2006-12-13 |
发明(设计)人: | 余传英;郭乃萍;陈耕晖;陈汉松;洪俊雄 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 刘炳胜 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种非易失存储电路,提供具有多个参考单元的参考存储器,该参考存储器通过互连导体条状物在一组检测放大器中共享。每一参考存储器中具有的存储单元的数目越多,就可以产生较大电流用以对多个源极线充电。所述多个源极线耦接至该互连导体条状物,以产生与耦接至主存储阵列中存储单元的源极线的电容匹配。当硅晶圆产出后,分别测量主存储阵列源极线的电容值以及参考阵列源极线的电容值,从而决定是否进行裁减。可通过裁减耦接至该互连导体条状物与该参考存储器的一组源极线之一来进一步调整电容匹配,或者通过减掉源极线的一段或是增长源极线的一段。 | ||
搜索关键词: | 非易失 存储器 补偿 读取 源极线 装置 | ||
【主权项】:
1.一种非易失存储器构件,包含:一互连导体条状物;一主存储器,具有一第一存储单元;一第一参考阵列,具有两个或更多参考存储单元,该两个或更多参考存储单元连接至一参考导线;一第一检测放大器,具有:一第一输入,耦接至连接到该主存储器中的该第一存储单元的一第一导体位线;一第二输入,耦接至该互连导体条状物与该两个或更多参考存储单元中的该参考导线;以及至少两源极线,耦接至该互连导体条状物,该至少两源极线、该互连导体条状物与该参考导线的组合提供与该主存储器的该第一存储单元中该第一导体位线大致的电容匹配。
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