[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610009213.6 | 申请日： | 2006-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1905209A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 大田裕之 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;高龙鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：n沟道MISFET，其包括在半导体衬底10中形成的源/漏区38，在源/漏区38之间具有沟道区；以及在沟道区上由金属硅化物形成的栅极44，在栅级44与沟道区之间具有栅绝缘膜12；以及绝缘膜46，其从栅极44的侧壁至栅极44的上表面形成在栅极44上，具有从1.0到2.0GPa的张应力并将张应力施加到沟道区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：n沟道金属-绝缘体-半导体场效应晶体管，其包括：在半导体衬底中形成的源/漏区，在所述源/漏区之间具有沟道区；以及在沟道区上由金属硅化物形成的第一栅极，在沟道区与第一栅极之间具有栅绝缘膜；以及第一绝缘膜，其从第一栅极的侧壁至第一栅极的上表面形成在第一栅极上，具有从1.0到2.0GPa的张应力，并且将张应力施加到沟道区。
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