[发明专利]发光装置的形成方法与半导体发光装置有效
| 申请号： | 200610009081.7 | 申请日： | 2006-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1905221A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 黄健朝;杨富量 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光装置的形成方法与半导体发光装置，所述形成至少一发光装置的方法，具有使用CMOS制程的控制电路，包括形成至少一设置于下电极之中或是上方的介电区，其中介电区包括多孔介电质或低密度介电质；将多个发光粒子注入至介电区中；以及形成至少一设置于介电区上的上电极。本发明所述发光装置的形成方法与半导体发光装置，增加了纳米微晶体的沉积效率，因此可改善发光装置的空穴移动率以及栅极介电层介面。且不需要增加制程花费就可以轻易的将发光装置与控制电路整合的制程方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 形成 方法 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种形成至少一发光装置的方法，其特征在于，具有使用互补金属氧化物半导体制程的一控制电路，包括：形成至少一介电区，设置于一下电极中或是上方，其中上述介电区包括一多孔介电质或一低密度介电质；将多个发光粒子注入至上述介电区中；以及形成至少一上电极，设置于上述介电区上。
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