[发明专利]硅构件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610008940.0 | 申请日： | 2006-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1819119A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 森谷正孝;鹿岛一日儿;宫野真一 | 申请（专利权）人： | 东芝陶瓷株式会社;东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/00;C23F1/00;C23F4/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;邹雪梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅构件及其制造方法，该硅构件在半导体制造工序、特别是等离子体处理工序中，可以抑制构件自身的电阻率变动，由此，可以实现晶片处理的均匀化，并且对被处理晶片等不构成杂质污染源。经由以下工序制造电阻率大于等于0.1Ω·cm、小于等于100Ω·cm的硅构件：制造被掺杂了13族原子、固有电阻率大于等于1Ω·cm、小于等于100Ω·cm的P型单晶硅的工序；以及通过将所述P型单晶硅在大于等于300℃、小于等于500℃的温度下进行退火处理，形成氧施主，从而进行P/N反转的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 构件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅构件，其是由掺杂了13族原子的单晶硅构成的、通过利用退火处理形成氧施主而进行了P/N反转的硅构件，其特征在于，电阻率大于等于0.1Ω·cm、小于等于100Ω·cm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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