[发明专利]氧氮化物磷光体和半导体发光器件

摘要

本发明提供组成通式M_1－aCe_aSi_bAl_cO_dN_e表示的氧氮化物磷光体，其中M表示La或其中主要成分是La且次要成分是选自Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中至少一种的元素的化合物；表示Ce的组成比的a是满足0.1≤a≤1的实数；表示Si的组成比的b是满足b＝(6－z)×f的实数；表示Al的组成比的c是满足c＝(1+z)×g的实数；表示O的组成比的d是满足d＝z×h的实数；表示N的组成比的e是满足e＝(10－z)×i的实数；z是满足0.1≤z≤3的实数；f是满足0.7≤f≤1.3的实数；g是满足0.7≤g≤3的实数；h是满足0.7≤h≤3的实数；i是满足0.7≤i≤1.3的实数；且JEM相的含量为50％或更多；并提供了使用所述氧氮化物磷光体的半导体发光器件。

主权项

1.由组成通式M1-aCeaSibAlcOdNe表示的氧氮化物磷光体，其中M表示La或其中主要成分是La且次要成分是选自Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中至少一种的元素的化合物，a表示Ce的组成比，且是满足0.1≤a≤1的实数，b表示Si的组成比，且是满足b＝(6-z)×f的实数，c表示Al的组成比，且是满足c＝(1+z)×g的实数，d表示O的组成比，且是满足d＝z×h的实数，e表示N的组成比，且是满足e＝(10-z)×i的实数，z是满足0.1≤z≤3的实数，f是满足0.7≤f≤1.3的实数，g是满足0.7≤g≤3的实数，h是满足0.7≤h≤3的实数，i是满足0.7≤i≤1.3的实数，且JEM相的含量为50％或更多。