[发明专利]薄膜晶体管衬底及其制造方法

摘要

一种薄膜晶体管衬底，其包括一绝缘衬底、一形成于该衬底上的栅极线组件、和一数据线组件，该数据线组件横越栅极线组件并与栅极线组件绝缘。薄膜晶体管连接到栅极线组件和数据线组件。在薄膜晶体管上由a－Si:C:O或a－Si:O:F形成一钝化层。通过PECVD法沉积该基于a－Si:C:O或a－Si:O:F的层。像素电极被形成在钝化层上并与薄膜晶体管连接。在这个结构中，在提高开幅比和减少工序时间的同时，寄生电容的问题得到解决。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列衬底，包括：一形成于一绝缘衬底上的数据线组件，该数据线组件包括数据线；形成于该绝缘衬底上的红、绿和蓝彩色滤光片；一由一CVD层形成的、位于该数据线组件和该彩色滤光片上的缓冲层，该缓冲层具有一暴露该数据线组件的预定部分的第一接触孔；一形成于该缓冲层上的栅极线组件，该栅极线组件包括横越该数据线并定义像素区域的栅极线，和连接到该栅极线的栅极电极；一形成于该栅极线组件上的栅极绝缘层，该栅极绝缘层具有一部分暴露该第一接触孔的第二接触孔；一形成于该栅极电极上方的该栅极绝缘层上的半导体图案；和一像素线组件，其包括经该第一和该第二接触孔连接到该数据线、并且部分接触该半导体图案的源极电极、在该半导体图案之上面对该源极电极的漏极电极、和连接到该漏极电极的像素电极。