[发明专利]三维混合取向技术的结构和方法有效
| 申请号： | 200610008648.9 | 申请日： | 2006-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1845309A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 權五正 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 具有增强的pFET性能且不会降低nFET的性能的半导体器件以及制造方法。该方法包括使用第一平面和方向在基片上形成第一结构和使用第二平面和方向在该基片上形成第二结构。在使用中，该结构包括：使用第一平面和方向(例如(100)/<110>)在基片上形成的nFET叠层；和使用不同于第一平面和方向的第二平面和方向(例如(111)/<112>)在该基片上形成pFET叠层。在所述nFET叠层和pFET叠层之间设有该基片内的隔离区。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 混合 取向 技术 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体结构的方法，包括使用第一平面和方向在基片上形成第一结构和使用第二平面和方向在该基片上形成第二结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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