[发明专利]具有修改的频带结构的非挥发存储器单元的操作方法及装置有效
| 申请号: | 200610008510.9 | 申请日: | 2006-02-10 |
| 公开(公告)号: | CN1949521A | 公开(公告)日: | 2007-04-18 |
| 发明(设计)人: | 叶致锴;蔡文哲 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247;G11C16/04 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 任永武 |
| 地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种具有一电荷储存结构的非挥发存储单元,非挥发存储单元以存储单元的基板区与存储单元的至少一电流负载节点间的测量电流(例如带间电流)进行读取。为了强化非挥发存储单元的操作,频带结构工程是用以改变存储器组件的主体部以及另一支持测量电流的存储器组件间的频带结构。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 修改 频带 结构 挥发 存储器 单元 操作方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种非挥发存储器,包括:一基板区,该基板区包括一源极区及一漏极区,该基板区的一主体部具有一第一频带结构,该基板区的一测量部具有一第二频带结构,该第二频带结构与该第一频带结构不同;一电荷储存结构;一个或多个介电结构,该些介电结构至少部分位于该电荷储存结构及该基板区之间,且该些介电结构至少部分位于该电荷储存结构及一栅极电压的来源之间;一栅极,提供该栅极电压;以及一逻辑电路,该逻辑电路施加一第一偏压布置,以决定该电荷储存结构的一电荷储存状态,并测量该基板区与至少该源极区或该漏极区其中之一间的一电流,以决定该电荷储存结构的该电荷储存状态;其中,至少部分的该电流通过该基板区的该测量部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





