[发明专利]大气输送室、被处理体的处理后输送法、程序和存储介质有效
申请号: | 200610008360.1 | 申请日: | 2006-02-21 |
公开(公告)号: | CN1835193A | 公开(公告)日: | 2006-09-20 |
发明(设计)人: | 守屋刚;广冈隆明;清水昭贵;田中谕志 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3063 | 分类号: | H01L21/3063;H01L21/3213;H01L21/00;C23F4/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种大气输送室,使得在能够防止由被处理体制造的半导体器件降低质量的同时,还能够提高被处理体处理装置的开工率。输送进行了蚀刻处理的晶片W的加载模块(13),包括了在其内部配置在上侧的FFU(34),FFU(34)由风扇单元(37)、加热单元(38)、除湿装置(39)和除尘单元(40)组成,风扇单元(37)的内部装有向下侧送出大气的风扇,除湿装置(39)的内部装有对风扇单元(37)送出的大气进行除湿的干燥过滤器(55),除尘单元(40)的内部装有将通过除湿装置(39)的大气中的粉尘收集的过滤器,由此FFU(34)将导入加载模块(13)内部上侧的大气进行加热、除湿和除尘,供给到加载模块(13)内部的下侧。 | ||
搜索关键词: | 大气 输送 处理 程序 存储 介质 | ||
【主权项】:
1.一种大气输送室,其特征在于,与由卤素系气体的等离子体对被处理体进行处理的被处理体处理室相连接、在内部输送所述被处理体,具有对该大气输送室的内部的大气进行除湿的除湿装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610008360.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于降低噪音的部件,尤其是车辆的地板
- 下一篇:图形均衡器的控制器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造