[发明专利]形成高密度电浆化学气相沉积的前金属介电层的方法有效
| 申请号： | 200610007673.5 | 申请日： | 2006-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1832125A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 陈耀翔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成高密度电浆化学气相沉积的前金属介电层的方法，其是在降低热预算的情况下，降低电浆伤害及/或优先溅镀。此方法包括提供半导体基材，此半导体基材上至少包括下方的至少二半导体结构且此些半导体结构由一间隙分开；以及在不施加吸附偏压以夹持此半导体基材的情况下，根据高密度电浆化学气相沉积制程，形成前金属介电层于上述半导体结构上，以改善沟填能力并降低电浆伤害至先前的互补式金氧半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 高密度 化学 沉积 金属 介电层 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成高密度电浆化学气相沉积的前金属介电层的方法，其特征在于其至少包括：提供一半导体基材，该半导体基材上至少包括至少二半导体结构且该些半导体结构由一间隙分开；以及在不施加一吸附偏压以夹持该半导体基材下，根据一高密度电浆化学气相沉积制程，形成一前金属介电层于该些半导体结构上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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