[发明专利]厚膜导体形成用组合物有效

专利信息
申请号: 200610006955.3 申请日: 2006-01-26
公开(公告)号: CN1822240A 公开(公告)日: 2006-08-23
发明(设计)人: 川久保胜弘;安达良典;粟洼慎吾 申请(专利权)人: 住友金属矿山株式会社
主分类号: H01B1/14 分类号: H01B1/14;C09D5/24;H05K1/09;C04B35/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 高龙鑫;颜薇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明目的在于提供一种熔蚀现象少、且不含铅的厚膜导体形成用组合物。为了达到上述目的,使用由导电粉末、氧化物粉末、有机展色料构成的厚膜导体形成用组合物。其中,所述氧化物粉末包含SiO2-B2O3-Al2O3-CaO-Li2O系玻璃粉末和Al2O3粉末。SiO2-B2O3-Al2O3-CaO-Li2O系玻璃粉末的组成比为,SiO2:20~60质量%、B2O3:2~25质量%、Al2O3:2~25质量%、CaO:20~50质量%、以及Li2O:0.1~10质量%,相对于100质量份的导电粉末,SiO2-B2O3-Al2O3-CaO-Li2O系玻璃粉末为0.1~15质量份、Al2O3粉末为0.1~8质量份。
搜索关键词: 导体 形成 组合
【主权项】:
1.一种厚膜导体形成用组合物,该厚膜导体形成用组合物由导电粉末、氧化物粉末、有机展色料构成,其特征在于,所述氧化物粉末包含SiO2-B2O3-Al2O3-CaO-Li2O系玻璃粉末和Al2O3粉末。
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