[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610006835.3 | 申请日： | 2006-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1862792A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 福田和彦;丰泽健司 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在COF等的半导体装置中，在形成了配线图案的膜状的挠性配线基板上搭载有半导体芯片。在挠性配线基板与半导体元件的缝隙之间填充有用于保护半导体芯片的密封树脂。在用喷嘴描画半导体芯片的长边侧并填充密封树脂时形成的描画涂敷痕迹的树脂的宽度为0.1～1.0mm，而且，描画涂敷痕迹的树脂的厚度小于或等于10μm。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，半导体元件被搭载至形成了配线图案的膜状的挠性配线基板，其特征在于：在上述挠性配线基板与半导体元件的缝隙之间填充有用于保护该半导体元件的密封树脂；在用喷嘴描画上述半导体元件的至少长边侧并填充上述密封树脂时形成的描画涂敷痕迹的树脂的宽度为0.1～1.0mm，而且，该描画涂敷痕迹的树脂的厚度小于或等于10μm。
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