[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610006810.3 | 申请日： | 2006-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN1819261A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 松下大介;村冈浩一;中崎靖;加藤弘一;清水敬 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78;H01L21/283;H01L21/336;H01L21/314 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明的一方面，公开了一种半导体装置，其包含半导体衬底；和形成在该半导体衬底上的、P－沟道MOS晶体管的栅绝缘膜。所述栅绝缘膜具有氧化物薄膜(SiO2)，和包含硼原子和氮原子的防扩散薄膜(BN)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：半导体衬底，和形成在所述半导体衬底上的绝缘膜，其中所述绝缘膜具有包含氧原子的区域和包含硼原子和氮原子的区域。
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