[发明专利]蚀刻液和补给液以及使用它们的导体图案的形成方法有效
| 申请号: | 200610006438.6 | 申请日: | 2006-01-20 |
| 公开(公告)号: | CN1819748A | 公开(公告)日: | 2006-08-16 |
| 发明(设计)人: | 栗山雅代;秋山大作 | 申请(专利权)人: | MEC株式会社 |
| 主分类号: | H05K3/46 | 分类号: | H05K3/46;H05K3/06;C23F1/16 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈建全 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明的蚀刻液是对选自Ni、Cr、Ni-Cr合金和Pd之中的至少一种金属进行蚀刻的蚀刻液,其是包含选自NO、N2O、NO2、N2O3及它们的离子之中的至少一种成分和酸成分的水溶液。本发明的导体图案(1)的形成方法是,使用上述蚀刻液对选自Ni、Cr、Ni-Cr合金和Pd之中的至少一种金属进行蚀刻而形成导体图案(1)。 | ||
| 搜索关键词: | 蚀刻 补给 以及 使用 它们 导体 图案 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种对选自Ni、Cr、Ni-Cr合金和Pd之中的至少一种金属进行蚀刻的蚀刻液,其特征在于:该蚀刻液为包含选自NO、N2O、NO2、N2O3及它们的离子之中的至少一种成分和酸成分的水溶液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于MEC株式会社,未经MEC株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610006438.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多元件射束控制天线
- 下一篇:硬涂层,形成硬涂层用的靶和形成硬涂层的方法





