[发明专利]铁电存储器件及其制造方法和半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供铁电存储器件及其制造方法和半导体器件的制造方法。该铁电存储器件包括：形成在半导体衬底上的场效应晶体管；形成在半导体衬底上的层间绝缘膜，用以覆盖场效应晶体管；导电塞，其形成在层间绝缘膜中并与第一扩散区相接触；以及铁电电容器，其形成在层间绝缘膜上并与导电塞相接触，其中，所述铁电电容器包括铁电膜以及分别从上面和下面将铁电膜夹在中间的上电极和下电极，下电极与导电塞电连接；含氧层，其插入在导电塞与下电极之间；含氮层，其插入在含氧层与下电极之间；自对准层，其插入在含氮层与下电极之间。

主权项

1、一种铁电存储器件，包括：半导体衬底；场效应晶体管，其形成在所述半导体衬底上，所述场效应晶体管包括第一和第二扩散区；层间绝缘膜，其形成在所述半导体衬底上，用以覆盖所述场效应晶体管；导电塞，其形成在所述层间绝缘膜中，并与所述第一扩散区相接触；铁电电容器，其形成在所述层间绝缘膜上，并与所述导电塞相接触，所述铁电电容器包括铁电膜以及分别从上面和下面将所述铁电膜夹在中间的上电极和下电极，所述下电极与所述导电塞电连接，含氧层，其插入在所述导电塞与所述下电极之间，含氮层，其插入在所述含氧层与所述下电极之间，以及自对准层，其插入在所述含氮层与所述下电极之间。