[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610006255.4 | 申请日： | 2006-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1828884A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 余振华;潘兴强;眭晓林;谢静华;黄震麟;李显铭;林俊成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;高龙鑫 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其提供在介电层中具有独特阻障层的开口。在一实施例中，该开口包括介层窗与沟槽，而阻障层为一层或多层阻障层。在该开口侧壁上，该一层或多层阻障层沿大约沟槽底部与介电层顶部的中心位置的厚度与其沿沟槽底部的厚度的比例大于0.55。在另一实施例中，该开口侧壁上，该一层或多层阻障层沿大约沟槽底部与介电层顶部的中心位置的厚度与其沿介层窗底部的厚度的比例大于1.0。位于下方的导电层可形成凹陷区。根据本发明的半导体装置，其中的阻障层能避免或减少金属物质沿介层窗侧壁扩散及降低介层窗与下层导电物质间接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：介电层；开口，形成于该介电层中，该开口包括介层窗与沟槽；一层或多层阻障层，形成于该介电层上与该开口中；以及导电插栓，形成于该开口内的该一层或多层阻障层上，其中该一层或多层阻障层沿大约该沟槽底部与该介电层顶部的中心位置的第一厚度与该一层或多层阻障层沿该介层窗底部的第二厚度的比例大于1。
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