[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的课题是在管芯键合中可使用无铅焊锡。在半导体芯片1与Cu合金制的键和焊盘4之间配置应力缓冲板8，通过用以固相温度大于等于270℃且液相温度小于等于400℃的Sn－Sb－Ag－Cu为主要构成元素的无铅焊锡的接合材料10、9接合半导体芯片1与应力缓冲板8和应力缓冲板8与键和焊盘4，可使用无铅焊锡进行管芯键合而不发生芯片裂纹。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于：具有：半导体元件，具备主面、其相反一侧的背面、在上述主面上形成的电极、在上述背面上形成的电极和在上述主面上形成的电路；导电性的键和焊盘，与上述半导体元件的上述背面的电极接合；导电性的引线，与上述半导体元件的上述主面的电极电连接；密封体，密封上述半导体元件、上述键和焊盘和上述引线的一部分；以及应力缓冲部件，配置在上述半导体元件与上述键和焊盘之间，而且其热膨胀、屈服应力或弹性率比形成上述键和焊盘的主材料的热膨胀、屈服应力或弹性率低，利用固相温度大于等于270℃且液相温度小于等于400℃的以Sn-Sb-Ag-Cu为主要构成元素的合金和以Bi-Ag-Sb为主要构成元素的合金中的任一种接合材料接合了上述半导体元件与上述应力缓冲部件。