[发明专利]表面改性的FET-型生物传感器无效

专利信息
申请号: 200610005056.1 申请日: 2006-01-17
公开(公告)号: CN1811398A 公开(公告)日: 2006-08-02
发明(设计)人: 沈储暎;南宫吉娜;柳圭泰;郑盛旭;朴俊植 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G01N27/414 分类号: G01N27/414;G01N33/68;G01N33/543;H01L29/51
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张平元;赵仁临
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供一种场效应晶体管(FET)型生物传感器,其包括源极、栅极和漏极。向该栅极表面加入能够与核酸侧部结合的配体。在常规FET型生物传感器中,难于在德拜长度内检测到信号,因为目标核酸直接固定于常规FET栅极的表面。然而,在本发明中,通过用能够与核酸侧部结合的配体处理FET传感器的栅极表面,可以克服该问题并且可以增加德拜长度。所述配体可以吸附在栅极的表面。这种情况下,核酸平行而不是垂直地吸附于栅极表面,从而产生有效的耗尽区(depletion region)。另外,可以增加杂交效率,因为杂交样品可以高离子强度注入到FET传感器中。
搜索关键词: 表面 改性 fet 生物 传感器
【主权项】:
1.一种场效应晶体管(FET)型生物传感器,其包括源极、栅极和漏极,其中该栅极表面加入了能够与核酸侧部结合的配体。
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