[发明专利]半导体器件以及其制造方法无效
| 申请号： | 200610004851.9 | 申请日： | 2006-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1815728A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 竹胁利至;上野和良 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在一种半导体器件中，在半导体衬底上方设置有绝缘中间层，并且在绝缘中间层中形成有多个第一布线层和多个第二布线层。第一布线层基本上由铜构成，并且以大间距平行排列。第二布线层基本上由铜构成，并且以小间距平行排列。在每个第一布线层上形成有第一金属帽层，并且在每个第二布线层上形成有第二金属帽层。第二金属帽层具有比第一金属帽层的厚度小的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：基本上由铜构成的第一布线层；基本上由铜构成的第二布线层；形成在所述第一布线层上的第一金属帽层；形成在所述第一布线层上的第二金属帽层；其中所述第一金属帽层的厚度比所述第二金属帽层的厚度的厚。
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