[发明专利]晶圆级散热结构的制作方法及应用此方法得到的芯片封装结构有效
| 申请号： | 200610004814.8 | 申请日： | 2006-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101000861A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 萧伟民;杨国宾 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L23/36;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海开祺知识产权代理有限公司 | 代理人： | 谭佐晞 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆级散热结构的制作方法及应用此方法得到的芯片封装结构，该制作方法是在晶圆尚未切割前，即在晶圆背面利用干式蚀刻等方式形成盲孔，之后再形成一金属层覆盖整个晶圆背面以及盲孔的表面，这样即可在晶圆本体上形成散热结构，并且在进行切割步骤后，所形成的每一单个芯片均具有散热结构。因此，本发明使得芯片上无须设置额外的散热片也可达到良好的散热效果，从而节省封装制程的成本，减轻整个芯片封装结构的厚度及重量。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 散热 结构 制作方法 应用 方法 得到 芯片 封装 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆级散热结构的制作方法，包括如下过程：首先，提供一晶圆，该晶圆具有一主动面与一背面，并且在主动面上形成有若干个焊垫；其特征在于：其次，在该背面形成若干个盲孔，且其中的数个盲孔中暴露出部分焊垫；其后，形成一导热层覆盖在晶圆的背面、盲孔的表面以及暴露出的部分焊垫表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
