[发明专利]非易失性存储器结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器结构，包括基底、第一存储单元列、第一源极区/漏极区及第二源极区/漏极区。第一存储单元列设置于基底上，第一存储单元列包括多个存储单元、两个选择栅极结构及多个掺杂区。选择栅极结构分别设置于这些存储单元中最外侧的存储单元的一侧的基底上，且选择栅极在远离存储单元的一侧具有一个斜角。掺杂区分别设置于两个存储单元之间的基底中及存储单元与选择栅极结构之间的基底中。第一源极区/漏极区与第二源极区/漏极区分别设置于第一存储单元列两侧的基底中。

主权项

1.一种非易失性存储器结构，包括：基底；第一存储单元列，设置于该基底上，该第一存储单元列包括：多个存储单元，串联设置于该基底上；两个选择栅极结构，分别设置于该多个存储单元中最外侧的该多个存储单元的一侧的该基底上，且各该选择栅极结构在远离该多个存储单元的一侧具有斜角；以及多个掺杂区，分别设置于两个存储单元之间的该基底中及该多个存储单元与该两选择栅极结构之间的该基底中；以及第一源极区/漏极区及第二源极/漏极区，分别设置于该第一存储单元列两侧的该基底中。