[发明专利]覆盖游标及用其制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200610004302.1 | 申请日： | 2006-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN1866510A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 任东圭 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种覆盖游标包括具有和设置在实际单元中的图案相同的布局的覆盖游标图案。下覆盖游标图案和当作实际单元的下层的下层图案一起形成在划割线区域之内，而上覆盖游标图案和当作实际单元的上层的上层图案一起形成在划割线区域之内。下覆盖游标图案和上覆盖游标图案具有分别与下层图案和上层图案相同的布局。使用上覆盖游标图案和下覆盖游标图案之间的重叠度，可以精确对准设置实际单元中的上层图案和下层图案。 | ||
| 搜索关键词： | 覆盖 游标 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基底，包含：提供用于界定许多晶体管的有源区，所述有源区包括第一图案；及包括第二图案的非有源区，所述第二图案大致上和所述第一图案相同。
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