[发明专利]半导体封装组件及组装半导体封装的方法无效
申请号: | 200610004281.3 | 申请日: | 2006-02-13 |
公开(公告)号: | CN1835217A | 公开(公告)日: | 2006-09-20 |
发明(设计)人: | 约翰·U·克尼克伯克;海·P·郎沃斯;罗格·A·居昂 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/60 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了基于改善的设计和材料组合以提供改善的每I/O载流量的微电子结构。本发明的优选实施方式使用以下一个或多个的组合:(1)下凸块冶金,通过增大通道直径或者通过具有多个BLM下方的通道开口,增强每I/O的电流;(2)较厚的下凸块冶金,其中良好导体冶金的使用与增加的厚度一起使用;(3)对于电源和/或地通道连接,采用凸块冶金下方较大的通道直径、较大的焊料凸块直径和/或其它电流增强特征;(4)在无Pb合金中采用添加剂,以改变微结构,从而最小化焊料中或金属间转变处的原子迁移。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 组件 组装 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体封装组件,包括衬底、安装在所述衬底上的至少一个集成电路芯片、和用于连接衬底和所述集成电路芯片的至少一个互连,并且其中集成电路芯片包括通道,互连包括延伸到通道中以帮助连接电路芯片和衬底的焊料球,以及通道具有大约至少55um的增大的直径,以增加焊料球的电迁移寿命。
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