[发明专利]半导体存储器件有效

专利信息
申请号: 200610003714.3 申请日: 2006-02-05
公开(公告)号: CN1822228A 公开(公告)日: 2006-08-23
发明(设计)人: 岩成俊一;坂上雅彦;平野博茂;中熊哲治;三木隆;五宝靖;山冈邦吏;村久木康夫 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11C16/02 分类号: G11C16/02
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种与SRAM兼容并且能够进行高速数据传输操作同时保持数据可靠性的半导体存储器件。当外部芯片使能信号XCE执行下降转换时开始访问存储核心6。同时,接收外部写使能信号XWE和外部地址信号ADD,并且选择与所接收的外部地址信号ADD相应的存储核心6中的存储单元1。当完成从存储单元1读出数据或将数据写入存储单元1时,根据外部芯片使能信号XCE的上升转换或外部写使能信号XWE的上升转换激活重写定时器7,用于执行存储单元1的数据重写。
搜索关键词: 半导体 存储 器件
【主权项】:
1、一种用于执行数据重写的半导体存储器件,包括:存储部分,包括存储元件,在该存储元件中作为读出的结果破坏了所存储的内容;定时器控制电路,用于当第一或第二信号先于另外一个进入无效状态时输出起始信号;定时器电路,用于在从输出所述起始信号开始的预定时间段内输出定时器信号;以及存储部分控制电路,用于在从所述第一信号进入有效状态到停止输出所述定时器信号的时间段当中激活所述存储部分,并且当输出所述定时器信号时执行所述存储部分的重写。
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