[发明专利]磁存储单元与其制造方法有效
| 申请号： | 200610003148.6 | 申请日： | 2006-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101022032A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 洪建中;朱健刚;高明哲 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C11/16;H01F10/10 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高翔 |
| 地址： | 台湾省新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 磁存储单元与其制造方法。采用与自由层大小不同的铁磁下电极固定层，由于较为宽大的磁性下电极，可以产生较佳均匀性的外露磁场，使得自由层的边缘处(End Domain)区域极化向量分布正常，达到较佳的翻转特性。上述工艺亦可使用自对准的工艺方式达成。而调整适当的磁性下电极外露磁场，可以让整个自由层不同位置感受实体上相同的外加磁场，可以达成磁存储单元非常低的拴扣型写入电流特性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储单元，其特征是包括：磁性自由扇区；穿遂绝缘层；人造反铁磁下电极固定层，其中该穿遂绝缘层介于该磁性自由扇区与该人造反铁磁下电极固定层的中间；以及下电极定义层，位于该人造反铁磁下电极固定层的下方，其中该磁性自由扇区的宽度小于人造反铁磁下电极固定层。
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