[发明专利]半导体元件与其制作方法无效
| 申请号： | 200610003114.7 | 申请日： | 2006-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1893112A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 陈尚志;黄世贤;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件与其制作方法。该半导体元件包含有一基底、一栅结构、至少一L形层与一间隙壁、以及一应力层。该栅结构设于该基底上，该L形层具有一第一脚边，沿着该栅结构延伸到一第一端点，以及一第二脚边，沿着该基底延伸到一第二端点。该间隙与该L形层的该第一脚边跟第二脚边相接触。该应力层具有内应力，覆盖在该栅结构、该L形层、该间隙壁以及该基底的部分区域，该应力层与该第一端点以及该第二端点相接触。本发明所述的半导体元件与其制作方法提高了元件内载流子移动率以及元件效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包含有：一基底；至少一栅结构，设于该基底上；至少一L形层，具有一第一脚边，沿着该栅结构延伸到一第一端点，以及一第二脚边，沿着该基底延伸到一第二端点；至少一间隙壁，与该L形层的该第一脚边跟第二脚边相接触；以及一应力层，具有内应力，覆盖在该栅结构、该L形层、该间隙壁以及该基底的部分区域，该应力层与该第一端点以及该第二端点相接触。
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