[发明专利]薄膜晶体管、有机电致发光显示元件及其制造方法有效
申请号: | 200610003073.1 | 申请日: | 2006-02-08 |
公开(公告)号: | CN101017782A | 公开(公告)日: | 2007-08-15 |
发明(设计)人: | 胡堂祥;王怡凯;颜精一;林宗贤;何家充 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/84;H01L29/786;H01L27/32 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人: | 包红健 |
地址: | 台湾省新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种薄膜晶体管的制造方法,其包含下列步骤:首先,于基板上形成栅极;之后,于基板上形成栅绝缘层,以覆盖此栅极;接着,于栅绝缘层上形成源极/漏极层,此源极/漏极层暴露出栅极上方之部分的栅绝缘层;继之,于源极/漏极层上形成绝缘层,此绝缘层具有开口,以暴露出栅极上方之部分的栅绝缘层与部分的源极/漏极层;最后,于绝缘层之开口中形成通道层,使通道层与源极/漏极层电连接,且通道层由上述开口中暴露出来。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 有机 电致发光 显示 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管的制造方法,其特征是包括:于基板上形成栅极;于该基板上形成栅绝缘层,以覆盖该栅极;于该栅绝缘层上形成源极/漏极层,该源极/漏极层暴露出该栅极上方之部分该栅绝缘层;于该源极/漏极层上形成绝缘层,该绝缘层具有开口,以暴露出该栅极上方之部分该栅绝缘层与部分该源极/漏极层;以及于该绝缘层之该开口中形成通道层,使该通道层与该源极/漏极层电连接,且该通道层由该开口中暴露出来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造