[发明专利]形成纳米间隙的方法、用于分子器件和生物传感器的纳米场效应晶体管的制造方法以及由该方法制得的分子器件和生物传感器无效
| 申请号： | 200610002569.7 | 申请日： | 2006-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1828849A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 崔梁圭;金洲铉 | 申请（专利权）人： | 韩国科学技术院 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及形成纳米间隙的方法、用于分子器件或生物传感器的纳米场效应晶体管的制造方法及其组件，更具体地，本发明涉及使用薄层形成高重现性纳米间隙的方法，所述薄层具有分子尺寸或与分子尺寸相似的尺寸，并且涉及通过形成纳米间隙的方法制造的纳米场效应晶体管。本发明的形成纳米间隙的方法包括以下步骤：(a)在硅基材上依次形成绝缘层、第一金属层和硬掩模；(b)使用所述掩模作为蚀刻掩模部分地蚀刻所述第一金属层；(c)在所述第一金属层的侧表面上形成自组装的单层(SAM)，以在所述硅基材上形成纳米间隙；(d)在包括所述掩模在内的整个结构体上沉积金属，以形成第二金属层；(e)采用剥离工序通过蚀刻步骤(a)中所形成的掩模，除去沉积在所述硬掩模上的金属；以及(f)蚀刻步骤(c)中所形成的自组装的单层，以形成纳米间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 纳米 间隙 方法 用于 分子 器件 生物 传感器 场效应 晶体管 制造 以及 法制 | ||
【主权项】：
1.一种形成用于生物传感器的平面式纳米间隙的方法，该方法包括以下步骤：(a)在硅基材上依次形成绝缘层、第一金属层和硬掩模；(b)使用掩模图案作为掩模部分地蚀刻所述第一金属层；(c)在所述第一金属层的一侧上形成自组装的单层(SAM)，以在所述硅基材上形成纳米间隙；(d)在所述硅基材上沉积金属以形成第二金属层；(e)通过采用剥离工序蚀刻步骤(a)中所形成的掩模，除去沉积在所述硬掩模上的金属；和(f)蚀刻步骤(c)中所形成的自组装的单层，以形成纳米间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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