[发明专利]半导体存储器装置无效
| 申请号： | 200610002103.7 | 申请日： | 2006-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1892892A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 金溶美 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨红梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据本发明的半导体存储器装置能够方便地改变调整ODT操作的时序和具有优化的ODT时序，不管半导体存储器装置是安置于模块的任一级上。本发明包括：阻抗调整单元，用于根据阻抗选择信号来调整输入垫的阻抗值；ODT操作控制单元，用于使用译码信号和ODT时序信号在产生阻抗选择信号时控制阻抗调整单元；延迟调整单元，用于将内部控制时钟延迟预定时序，由此产生ODT时序信号；以及ODT时序控制单元，用于根据半导体存储器装置是排列至模块的第一级还是第二级来控制延迟调整单元以决定预定时序的值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，包含：阻抗调整单元，用于根据阻抗选择信号来调整输入垫的阻抗值；ODT操作控制单元，用于使用译码信号和ODT时序信号在产生阻抗选择信号时控制阻抗调整单元；延迟调整单元，用于将内部控制时钟延迟预定时序，由此产生ODT时序信号；以及ODT时序控制单元，用于根据半导体存储器装置是排列于模块中的第一级还是第二级来控制延迟调整单元以决定预定时序的值。
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