[发明专利]一种探测波长在红外至远远红外光的探测器及制法无效
申请号: | 200610001811.9 | 申请日: | 2006-01-20 |
公开(公告)号: | CN101005104A | 公开(公告)日: | 2007-07-25 |
发明(设计)人: | 赵嵩卿;周岳亮;赵昆;王淑芳;刘震;韩鹏;金奎娟;陈正豪;吕惠宾;程波林;何萌;杨国桢 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0232;H01L31/18 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高存秀 |
地址: | 100080北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种基于纳米银颗粒掺杂的ZnO薄膜制作的探测器,包括:一基底,在基底上生长一层纳米银颗粒掺杂的ZnO薄膜,其特征在于,还包括尺寸大小为纳米量级的银颗粒,该银颗粒镶嵌在ZnO膜上;其中ZnO膜厚度在10纳米~10微米;银颗粒尺寸在1~200纳米;第一电极和第二电极设置在ZnO膜上,第一电极引线和第二电极引线连接在电极上,并且在两个电极引线之间并联一电阻,两个电极引线的末端连接电压测试设备。该探测器在波长800nm-100μ光照射下可以获得25-100毫伏以上的直接光生伏特信号。 | ||
搜索关键词: | 一种 探测 波长 红外 远远 红外光 探测器 制法 | ||
【主权项】:
1.一种探测波长在红外至远远红外光的探测器,包括:一基底(8),在基底(8)上生长一层ZnO薄膜层(1);其特征在于,所述的ZnO薄膜层(1)为纳米银颗粒掺杂的ZnO层,ZnO薄膜层(1)厚度在10纳米~10微米;其中ZnO薄膜层(1)内银颗粒的尺寸在1~100纳米,纳米尺寸的银颗粒与ZnO为Zn和Ag的原子比为:5∶1~100∶1;第一电极(2)和第二电极(3)设置在纳米银颗粒掺杂的ZnO薄膜层上,第一电极引线(5)和第二电极引线(4)分别连接在第一电极(2)和第二电极(3)上,并且在两个电极引线之间并联一电阻(6),两个电极输出端连接放大电路或电压测试设备(9)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的