[发明专利]氮化镓系半导体的成长方法有效
| 申请号： | 200610001595.8 | 申请日： | 2006-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101009339A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 陈政权;陈铭章;洪昆明 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王昭林;崔华 |
| 地址： | 中国台湾台南县善化*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氮化镓系半导体的成长方法，用于提供一个制造固态半导体发光装置所需要的基础，该成长方法包含下列步骤：提供一块基材，在该基材上形成多个间隔散布的氮化镓系材料的岛状凸块，在上述岛状凸块上形成一层由氮化镓系为主的材料所制成的基础层；借由提供该具有低缺陷密度基础层，使该固态发光装置可形成于该基础层上，因此可以降低发光装置的缺陷密度，提高发光装置的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体 成长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓系半导体的成长方法，其特征在于该成长方法包含下列步骤：(i)提供一块基材；(ii)在该基材上形成多个间隔散布并且由氮化镓系材料制成的岛状凸块；以及(iii)在上述岛状凸块上形成一层由氮化镓系为主的材料所制成的基础层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新世纪光电股份有限公司，未经新世纪光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610001595.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光装置及其导光板
- 下一篇：一种城镇生活节水循环网络
