[发明专利]外延晶片的制造方法及发光二极管的制造方法无效
| 申请号： | 200610001552.X | 申请日： | 2006-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1941434A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 柴田幸弥 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了能够大幅度减少发生闸流管不良的外延晶片的制造方法及发光二极管的制造方法。在设置于液相外延生长装置内的p型GaAs衬底(1)上，依次液相外延生长p型GaAlAs活性层(2)、n型GaAlAs包覆层(3)，然后实施直接在液相外延生长装置内再度升温的热处理，制成外延晶片。外延生长后，通过再度升温的热处理，使得与p型GaAlAs活性层(2)之间的接合界面附近的n型GaAlAs包覆层(3)中所含有的碳的峰浓度下降，因此在组成界面附近不发生p型转变层，可以得到不产生闸流管不良的外延晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 制造 方法 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.外延晶片的制造方法，其特征在于，使用石墨制的生长夹具，采用液相外延法在p型GaAs衬底上依次形成p型GaAlAs活性层、n型GaAlAs包覆层，然后在同一工艺过程中实施热处理，以减少上述p型GaAlAs活性层和上述n型GaAlAs包覆层之间的接合界面附近的上述n型GaAlAs包覆层中所含有的碳的峰浓度。
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