[发明专利]金属－绝缘－金属结构的电容器、半导体装置及制造方法有效
| 申请号： | 200610000914.3 | 申请日： | 2006-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN1925154A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 梁耀祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/06;H01L27/08;H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种金属－绝缘－金属结构的电容器、半导体装置及制造方法，所述一种金属－绝缘－金属结构的电容器，包括：一顶金属板与一底金属板，其间设置有一绝缘物，其中该顶金属板大体重叠该绝缘物，而该底金属板具有未为该顶金属板与该绝缘物所覆盖的一露出部；一抗反射涂层位于该顶金属板上、该顶金属板与该绝缘物的侧壁上以及该底金属板的露出部上；以及一介电层分隔该抗反射层与该顶金属层，该绝缘物与该底金属板。本发明位于抗反射涂层下方的介电层有效地阻绝了位于顶金属板与底金属板间的漏电流路径，并阻绝了位于金属－绝缘－金属电容器与集成电路内的其他元件间的漏电流路径。因此，其击穿电压可因而增加。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘 金属结构 电容器 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：一底金属板；一绝缘物，位于该底金属板上；一顶金属板，位于该绝缘物上；一介电层，位于该顶金属板以及至少该顶金属板与该绝缘物的侧壁上；以及一抗反射涂层，位于该介电层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
