[发明专利]相变化存储元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种相变化存储元件及其制造方法，主要是将碟盘状相变层埋入于绝缘材料中，并利用光刻技术产生位于碟盘状相变层中心且贯穿相变层的中心贯孔，和以中心贯孔为中心且外围位于碟盘状相变层边缘上的环状贯孔。此时，设置于中心贯孔中的加热电极可对相变层进行焦耳加热，并借助控制相变层的厚度来缩小两者间的接触面积。再有，一环状第二电极设置于环状贯孔中，传送至相变层间的环形接触界面的热经第二电极扩散出来，来避免热扩散至相变层外围的刻蚀边界，进而避免刻蚀缺陷及/或残留物熔解扩散至相变化材料内导致相变化异常。

主权项

1、一种相变化存储元件的制造方法，其特征在于，包括有下列步骤：提供一第一电极；在该第一电极上依序形成一第一绝缘层、一相变层和一第二绝缘层；形成贯穿该第二绝缘层的一环状贯孔，及贯穿该第二绝缘层、该相变层和该第一绝缘层的一中心贯孔，其中该中心贯孔位于相对于该环状贯孔的中心处；在该环状贯孔中形成一第二电极以及在该中心贯孔中形成一加热电极，其中该第二电极呈现一环形；刻蚀相应于该第二电极的该环形外围以外的区域的该第二绝缘层和该相变层，直至显露出该第一绝缘层，使该相变层呈现一碟盘状；在该第一绝缘层和该第二绝缘层上形成一第三绝缘层，以覆盖该第一绝缘层、该第二电极和该第二绝缘层；以及对应于该第二电极刻蚀该第三绝缘层，直至显露出该第二电极。