[发明专利]DRAM空心柱型电容器及其制造方法

摘要

一种DRAM空心柱型电容器的制造方法，包括提供具有多晶硅插塞的衬底，再于衬底上提供具有开口的模型介质层，其中开口暴露出多晶硅插塞。接着，于开口侧壁上形成非晶硅间隙壁，并暴露出部分多晶硅插塞。然后，去除暴露出的多晶硅插塞之部分厚度，再利用种晶技术，于非晶硅间隙壁表面产生半球形硅晶粒层。之后，于半球形硅晶粒层表面形成电容介质层，再于电容介质层上形成导电层。由于多晶硅插塞部分不会形成半球形硅晶粒，所以电容接触面积不会被缩小，并可藉此避免因电容介质层成膜不易导致的产量降低。

主权项

1.一种DRAM空心柱型电容器的制造方法，其特征是包括：提供衬底，该衬底具有多晶硅插塞；于该衬底上提供具有开口的模型介质层，其中该开口暴露出该多晶硅插塞；于该模型介质层的该开口之侧壁上形成非晶硅间隙壁，并暴露出部分该多晶硅插塞；去除暴露出的该多晶硅插塞之部分厚度；利用种晶技术，于该非晶硅间隙壁表面产生半球形硅晶粒层；于该半球形硅晶粒层表面形成电容介质层；以及于该电容介质层上形成导电层。