[发明专利]存储单元及存储器阵列有效
| 申请号： | 200610000203.6 | 申请日： | 2006-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN1862837A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭;赖升志 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/112;H01L27/115;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 台湾省新竹县新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明披露存储单元连同其阵列及操作方法，上述这些存储单元包含：半导体基板，其具有设置于该基板的表面下且由通道区分离的源极区及漏极区；隧道介电结构，其设置于该通道区上，该隧道介电结构包含具有小空穴穿隧势垒高度的至少一层；电荷储存层，其设置于该隧道介电结构上；绝缘层，其设置于该电荷储存层上；及栅极电极，其设置于该绝缘层上。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元，其特征是包含：半导体基板，其具有设置于该基板的表面下且由通道区分离的源极区及漏极区；隧道介电结构，其设置于该通道区上，该隧道介电结构包含具有小空穴穿隧势垒高度的至少一层；电荷储存层，其设置于该隧道介电结构上；绝缘层，其设置于该电荷储存层上；及栅极电极，其设置于该绝缘层上，其中该栅极电极包含功函数值大于N+多晶硅的材料。
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