[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200580051865.X | 申请日： | 2005-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101292350A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 松崎望;长田健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件及其制造方法，以EEPROM3构成可电重写的非易失性存储器件，以OTPROM4a构成不可电重写的非易失性存储器件。由能以低成本且相同的制造工序制造的相变存储元件构成EEPROM3和OTPROM4a这两者，在EEPROM3中使用将相变材料的非晶状态和结晶状态用作存储信息的相变存储元件，在OPTROM4a中使用将相变材料的非断线状态和断线状态用作存储信息的相变存储元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，在同一半导体衬底上具有可电重写的第一非易失性存储器件和不可电重写的第二非易失性存储器件，其特征在于：上述第一非易失性存储器件由可多次重写存储信息的第一相变存储元件构成，上述第二非易失性存储器件由仅可写入一次存储信息的第二相变存储元件构成，上述第一相变存储元件和上述第二相变存储元件的信息保持部具有相同的结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
