[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200580051000.3 | 申请日： | 2005-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101218667A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 金永锡 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/49;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件具有：栅电极，其隔着栅绝缘膜而设置在衬底上，而且，第一侧被第一侧壁面划分，第二侧被与上述第一侧壁面对置的第二侧壁面划分，并具有第一宽度；第一侧壁绝缘膜，其形成在上述衬底上的上述栅电极的上述第一侧，而且具有与上述第一侧壁面相对置、且相分离的第一内壁面；第二侧壁绝缘膜，其形成在上述衬底上的上述栅电极的上述第二侧，而且具有与上述第二侧壁面相对置、且相分离的第二内壁面；栅电极头部，其以从上述第一内壁面延伸至上述第二内壁面的方式，以更加宽的第二宽度形成在上述栅电极上；第一以及第二扩散区域，其形成在上述衬底中的上述栅电极的第一以及第二侧，其中，上述栅电极头部以与上述栅电极连续的方式形成，上述栅电极的接触至上述栅绝缘膜的至少下部由多晶硅构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：衬底；栅电极，其隔着栅绝缘膜而设置在上述衬底上，而且，第一侧被第一侧壁面划分，第二侧被与上述第一侧壁面对置的第二侧壁面划分，并且具有第一宽度；第一侧壁绝缘膜，其形成在上述衬底上的上述栅电极的上述第一侧，而且具有与上述第一侧壁面相对置、且相分离的第一内壁面；第二侧壁绝缘膜，其形成在上述衬底上的上述栅电极的上述第二侧，而且具有与上述第二侧壁面相对置、且相分离的第二内壁面；栅电极头部，其以从上述第一内壁面延伸至上述第二内壁面的方式，以更加宽的第二宽度形成在上述栅电极上；第一以及第二扩散区域，其形成在上述衬底中的上述栅电极的第一以及第二侧，其中，上述栅电极头部以与上述栅电极连续的方式形成，上述栅电极的接触至上述栅绝缘膜的至少下部由多晶硅构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
