[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200580050171.4 | 申请日： | 2005-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN101203953A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 王文生 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L27/105 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体衬底(10)的上方形成了铁电电容器(42)之后，形成直接覆盖铁电电容器(42)的阻挡膜(46)。其后，形成层间绝缘膜(48)并将其平坦化。接着，在层间绝缘膜(48)形成倾斜的沟槽。接着，在整个面上形成阻挡膜(50)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：多个铁电电容器，其形成在半导体衬底的上方；第一阻挡膜，其直接覆盖所述铁电电容器，用于防止氢或者水的扩散；层间绝缘膜，其形成在所述第一阻挡膜上；配线，其形成在所述层间绝缘膜上，并与所述铁电电容器连接，而且所述层间绝缘膜包括一个或者两个以上的第二阻挡膜，该第二阻挡膜从上方以及侧方覆盖所述多个铁电电容器中的至少一个，用于防止氢或者水的扩散，并且所述一个或者两个以上的第二阻挡膜共同覆盖所述多个铁电电容器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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