[发明专利]具有半绝缘性氧化锌半导体薄膜与硅的异质结的光敏二极管

摘要

本发明提供一种光敏二极管，其可以消除作为由掺杂造成的无法避免的问题的蓝色等短波长区域中的灵敏度降低，并且同时解决由掺杂杂质造成的该杂质的受主离子的散射所导致的响应性的降低，从紫外到红外兼具极高的灵敏度和高速响应性。一种具有半绝缘性氧化锌半导体薄膜与硅的异质结的光敏二极管，其特征是，基本上具有n型硅(1)和形成于所述n型硅上的半绝缘性氧化锌半导体薄膜(3)，n型硅为阴极区域，利用半绝缘性氧化锌半导体薄膜的成膜，在与半绝缘性氧化锌半导体薄膜相接的n型硅的上部产生p型反型层(4)，p型反型层(4)为受光部区域，并且是阳极区域。

主权项

1.一种具有半绝缘性氧化锌半导体薄膜与硅的异质结的光敏二极管，其特征是，具有n型硅和形成于所述n型硅上的半绝缘性氧化锌半导体薄膜，所述n型硅为阴极区域，利用所述半绝缘性氧化锌半导体薄膜的成膜，在与所述半绝缘性氧化锌半导体薄膜相接的n型硅的上部产生p型反型层，所述p型反型层为受光部区域，并且是阳极区域。